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使用同一个定子，当一相RM绕组通电时，其交链的磁通相当于hb的三相绕组的磁通。当三相RM型步进电机的转子由外部转矩驱动时，其相绕组的感应电压的波形如下图所示，RM型的电压波形接近正弦波，从而推出磁通的波形也是正弦波；相对的HB型电压波形与RM型比较略有畸变。其次，从RM型步进电机细分驱动效果看，下图为RM型步进电机进行步距角细分（10倍）与HB型步进电机的角度精度的比较，RM型步进电机经过细分控制的角度线性精度好于HB型步进电机。以上各相的交链磁通用“式2”表示，电流i用“式3”表示：上式中，KK3为基波和三次谐波的系数。转子以同步速度转动，下式成立：θ=ωt-δ根据以上式子，各相转矩的三相电机转矩如下式所示：即三相电机的转矩K3项消去，不受磁通三次谐波的影响，不含成为一恒定转矩。另一方面，两相电机的情形也同样变成如下式所：根据上式，两相转矩的两相式细分驱动时的转矩T2变成下式：根据上式，第1项为一恒定转矩，第2相为含ω的振动转矩。低压断路器在正常的情况下起到接通和断负荷电流，同时还可以具有过负荷和短路保护的功能。那么对于配电变压器低压侧的断路器怎么去整定和选择呢？配电变压器低压侧总断路器的设置，断路器具有长延时、短延时和瞬时三段式电流保护，为了保证变压器的保护与出线回路的选择性的配合，通常配电变压器的低压侧进线断路器不宜设置瞬时保护。下面一一介绍低压断路器三段式电流保护值的整定计算。配电变压器低压侧断路器三段式电流保护值的整定计算1.1低压断路器长延时过电流脱扣器的整定电流低压断路器长延时过电流脱扣器的整定电流宜等于或者接近变压器低压侧的额定电流值。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。