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　　二、废品项目：1、废铜：长期高价紫铜、黄铜、漆包线、红铜、马达铜、青铜、黄杂铜、磷铜、电解铜服务。2、废铁：长期高价工业碎铁、不锈铁、生铁、熟铁、冷轧板、热轧卷、工业铁、废铁轨、角铁、槽钢、钢、模具铁、边角铁、铁丝、铁渣、铁削、铁板、铁管、马口铁、铁合金服务。
用于汽车控制光纤与衰减1.光纤：现在光纤方法主要有：管内CVD（化学汽相沉积）法，棒内CVD法，PCVD（等离子体化学汽相电磁波沉积）法和VAD（轴向汽相沉积）法，2.光纤的衰减：造成光纤衰减的主要因素有：本征?。
具体方法如下：将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。判别发射极和集电极由于三极管在时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别来。制动电阻设计，核心就是考虑到电容和IGBT模块的耐压问题，避免这两大重要的器件被母线的高电压冲坏掉了，这两类元件如果坏掉了，变频器也就无法正常工作了。快速停车要制动电阻，瞬间加速也需要变频器母线电压之所以会变高，很多时候是变频器让电机工作在电子制动状态，让IGBT通过一定的导通顺序，利用电机是大电感电流不能突变，瞬间产生高压来往母线电容充电，这时候让电机快点降低速度下来。如果这时候没有制动电阻及时消耗掉母线的能量，母线电压将会持续变高而威胁变频器的安全了。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。二一十进制计数器二一十进制计数器是用二进制计数单元构成的十进制计数器。图中由4个J-K触发器构成8421编码二一十进制计数器。触发器F4的计数脉冲来自Q1，它的两J输入端分别接到Q2和Q3。在F4触发器置“0”后，欲翻转为“1”状态，必须在第8个脉冲后沿到来后，即F4输出Q4后才能由“0”变为“1”。第9个脉 第10个脉冲输入后计数器状态变成0000。绘制时应注意：符号统一同一元器件在同一电路，同一张逻辑图中不能出现两种符号。

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